各行各业对芯片性能和能效的要求越来越高，在混合云、人工智能和物联网时代尤其如此。IBM 研发的新型 2 纳米芯片技术可推动半导体行业的发展，满足不断增长的需求。与目前最先进的 7 纳米节点芯片相比，这项技术预计可使芯片的性能提升 45%，能耗降低 75%。

这款先进的 2 纳米芯片的应用前景包括：

使手机电池续航时间增至之前四倍，只需每四天为设备充一次电即可。
大幅减少数据中心的碳排放量，目前，数据中心的能源使用量占全球能源使用量的百分之一。将数据中心的所有服务器更换为 2 纳米处理器可能会显著降低该比例。
极大地提升笔记本电脑的功能，可加快应用程序处理速度，加强语言翻译辅助功能，加快互联网访问速度。 加快自动驾驶汽车（例如：无人驾驶汽车）的物体检测速度，缩短反应时间。  

IBM 研究院高级副总裁兼院长 Darío Gil 表示：“这款新型 2 纳米芯片体现出的 IBM 创新对整个半导体和 IT 行业至关重要。”  “这是 IBM 不畏艰难，克服严峻技术挑战取得的成果，展现了持续投资和合作研发生态系统方法如何帮助我们实现突破。”
 

IBM 始终处于半导体创新的前沿

几十年来，IBM 一直是半导体创新领域内的领导者，这为 IBM 实现最新突破奠定了坚实的基础。IBM 在位于纽约州奥尔巴尼市 Albany Nanotech Complex 的研究实验室开展半导体研发工作，在这里，IBM 科学家与来自公共和私营部门的合作伙伴密切合作，共同推动逻辑扩展和半导体功能向前发展。

这种协作式创新方法不仅使 IBM 奥尔巴尼研究院成为了全球领先的半导体研发生态系统，而且还构建了一条强大的创新渠道，有助于满足制造需求，加速全球芯片行业的发展。

多年来，IBM 在半导体领域内屡次实现重大突破，包括率先推出 7 纳米和 5 纳米工艺技术、单管 DRAM（single cell DRAM），Dennard 标度律（the Dennard Scaling Laws），化学放大光刻胶（chemically amplified photoresists）、铜互连布线（copper interconnect wiring）、绝缘硅片技术（Silicon on Insulator technolog）、多核微处理器（multi core microprocessors）、高 k 栅电介质（High-k gate dielectrics）、嵌入式 DRAM（embedded DRAM） 和 3D 芯片堆叠（3D chip stacking）。

IBM 凭借 IBM 研究院在 7 纳米技术方面取得的进展研发的第一款商业化产品,将于今年晚些时候在基于 IBM POWER10 的 IBM Power Systems 中首次亮相。

一个指甲大小的芯片可容纳 500 亿个晶体管  

增加每个芯片上的晶体管数量可以让芯片变得更小、更快、更可靠、更高效。2 纳米设计展示了利用 IBM 研发的纳米片技术对半导体进行高级扩展的能力。这种架构为业界首创。在宣布 5 纳米设计研发成功之后，IBM 仅用了不到四年时间就再次实现技术突破。这项突破性技术问世后，一个指甲大小的 2 纳米芯片就能容纳多达 500 亿个晶体管。

芯片上的晶体管数量增加还意味着处理器设计人员拥有更多选择，可以通过为处理器注入内核级创新来提升人工智能、云计算等前沿工作负载的功能，找到实现硬件强制安全性和加密的新途径。IBM 已经在最新一代的 IBM 硬件（例如：IBM POWER10 和 IBM z15）中实现了其他创新型核心级增强功能。

关于 IBM

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